A method is proposed for processing the reverse side of silicon transistor structures before the metal deposition process and obtaining contact to the collector of the transistor being formed. The parameters of the surface roughness of the silicon surface treated with carbide–silicon sand are studied in order to improve the adhesive properties before spraying the contact to the collector region of the transistor.
Aishat R. Shakhmayeva – Candidate of Technical Sciences, Associate Professor, Department of Theoretical and General Electrical Engineering, Dagestan State Technical University (DSTU), Makhachkala, Russia. E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Elmira O. Kazalieva – Postgraduate Student, Department of Theoretical and General Electrical Engineering, Dagestan State Technical University (DSTU), Makhachkala, Russia. E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
1. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М: Высш. шк., 1984. С. 40 – 42.
2. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк., 1986. С. 177–178.
3. Иванов П. А., Челноков В. Е. Полупроводниковый карбид кремния – технология и приборы, обзор // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29, № 11. С. 1921 – 1943.
4. Capano M. A., Trew R. J. Silicon carbide electronic materials and devices // MRS Bulletin. 1997. V. 22, No. 3. P. 19 – 23.
5. Вьюгинов В. Н., Травин Н. К., Венедиктов О. В. и др. Развитие базовой технологии производства подложек полуизолирующего карбида кремния // Сб. ст. IV Всерос. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ». СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2015. ISBN 978-5-7629-1634-9.
6. Пат. RU2013100566/28. А. МПК H01L 21/316. Способ обработки поверхности кремниевой подложки / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, П. Т. Захарова; заявл. 09.01.2013; опубл. 20.07.2014.
7. Шахмаева А. Р., Кардашова Г. Д., Казалиева Э. и др. Технология пескоструйной обработки кремниевой пластины при изготовлении полупроводниковых транзисторов // Надежность. 2022. № 4. С. 23 – 27. URL: https://doi.org/10.21683/1729-2646-2022-22-4-23-27
The article can be purchased
electronic!
PDF format
700 руб
DOI: 10.14489/glc.2023.06.pp.069-072
Article type:
Research Article
Make a request
