Предложен метод обработки обратной стороны кремниевых транзисторных структур перед процессом напыления металлов и получения контакта к коллектору формируемого транзистора. Исследованы параметры шероховатости поверхности обработанной карбидокремниевым песком кремниевой поверхности в целях улучшения адгезионных свойств перед напылением контакта к коллекторной области транзистора.
Айшат Расуловна Шахмаева – кандидат технических наук, доцент, кафедра теоретической и общей электротехники, ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет» (ФГБОУ ВО «ДГТУ»), Махачкала, Россия. E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Эльмира O Казалиева – аспирант, кафедра теоретической и общей электротехники, ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет» (ФГБОУ ВО «ДГТУ»), Махачкала, Россия. E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
1. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М: Высш. шк., 1984. С. 40 – 42.
2. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк., 1986. С. 177–178.
3. Иванов П. А., Челноков В. Е. Полупроводниковый карбид кремния – технология и приборы, обзор // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29, № 11. С. 1921 – 1943.
4. Capano M. A., Trew R. J. Silicon carbide electronic materials and devices // MRS Bulletin. 1997. V. 22, No. 3. P. 19 – 23.
5. Вьюгинов В. Н., Травин Н. К., Венедиктов О. В. и др. Развитие базовой технологии производства подложек полуизолирующего карбида кремния // Сб. ст. IV Всерос. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ». СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2015. ISBN 978-5-7629-1634-9.
6. Пат. RU2013100566/28. А. МПК H01L 21/316. Способ обработки поверхности кремниевой подложки / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, П. Т. Захарова; заявл. 09.01.2013; опубл. 20.07.2014.
7. Шахмаева А. Р., Кардашова Г. Д., Казалиева Э. и др. Технология пескоструйной обработки кремниевой пластины при изготовлении полупроводниковых транзисторов // Надежность. 2022. № 4. С. 23 – 27. URL: https://doi.org/10.21683/1729-2646-2022-22-4-23-27
Статью можно приобрести
в электронном виде!
PDF формат
700 руб
DOI: 10.14489/glc.2023.06.pp.069-072
Тип статьи:
Научная статья
Оформить заявку
